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    2. 文章詳情

      新潔能功率半導體命名規則介紹

      日期:2023-12-16 08:55
      瀏覽次數:537
      摘要: 新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇,擊穿電壓覆蓋-200V至300V,配合先進的封裝技術,為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續改進MOSFET在電能轉換過程中的系統效率和功率密度以及在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量,實現快速、平穩的電源管理及電能轉換。 通過采用先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構,新潔能MOSFET實現大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時,電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩定;應對于高頻率...

      新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇,擊穿電壓覆蓋-200V至300V,配合先進的封裝技術,為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續改進MOSFET在電能轉換過程中的系統效率和功率密度以及在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量,實現快速、平穩的電源管理及電能轉換。

      通過采用先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構,新潔能MOSFET實現大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時,電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩定;應對于高頻率的開關應用,我們為設計師們提供低開關損耗的系列產品(產品名稱后加標C),其有效降低了柵極電荷(Qg),尤其是柵極漏極間的電荷(Qgd),從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。

      應對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續流的應用終端,我們的MOSFET著重優化了Body Diode,在提高和加快反向續流能力的同時,降低反向恢復過程中的峰值電流(Irm)和電壓(Vrm)。

      新潔能結合先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度,我們推出TO-220H封裝外形(產品名稱后加標H),有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率,并降低了成本。

      • Auto MOSFET

         12-300V N-Channel Automotive MOSFET 12-150V P-Channel Automotive MOSFET
      • 12-300V N MOSFET

         12-200V N-Channel Trench MOSFET 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET
      • 12-150V P MOSFET

         12-150V P-Channel Trench MOSFET 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET
      • 500-1050V N MOSFET

         500-800V N-Channel SJ-III MOSFET 600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET
      • 12-300V NP MOSFET

         Complementary MOSFET Dual N and P-Channel MOSFET Half-bridge N-Channel MOSFET


      SGT-II MOSFET

      SGT-I MOSFET

      SGT雙芯MOSFET

      SGT半橋MOSFET

      Trench MOSFET

      Trench雙芯MOSFET

      Trench半橋MOSFET

      Super-Junction MOSFET

      IGBT

      PIM模塊


      京公網安備 11010802025865號

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